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固体电子学研究与进展杂志社

  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 期刊级别:核心期刊
  • 出版周期:双月刊
  • 国际刊号:1000-3819
  • 国内刊号:32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 出版地点:江苏省南京市
  • 投稿邮箱:kf@400qikan.com 收本月!
  • 职称评审:职称评审条件条件解读《全》
  • 期刊真伪:鉴别期刊真伪5大方法!

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期刊详情

固体电子学研究与进展杂志简介

《固体电子学研究与进展》杂志是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊,固体电子学研究与进展杂志具有正规的双刊号,其中国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际刊号:ISSN1000-3819。固体电子学研究与进展杂志社由工业和信息化部主管、主办,本刊为刊。自创刊以来,被公认誉为具有业内影响力的杂志之一。固体电子学研究与进展并获中国优秀期刊奖,现中国期刊网数据库全文收录期刊。
固体电子学研究与进展杂志可以用于正常评审职称加分!可以用与考研保研以及课题申报,均有效!
本站为《固体电子学研究与进展》杂志社合作采编中心,具有绿色通道投稿可优先加急录用!

《固体电子学研究与进展》是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文,论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

固体电子学研究与进展杂志稿件要求

一、本刊栏目有特稿经济论坛生产力新论专题研究决策者论坛决策参考教研咨询机构,作者在三个月内未接到刊用通知的可自行处理稿件。
二、请作者在来稿时,在稿件首页注明关键词、中英文提要,另附作者姓名、出生年月、职称、工作单位、通讯地址、邮政编码以及便于联系的电话、电子信箱等。
三、稿件应遵守学术规范,要求作者对所引用的材料和引文出处作认真仔细的校订。
四、文后参考文献是在学术研究过程中,对某一著作或论文的整体的参考或借鉴。征引文献在注释中已注明,不再出现于文后参考文献中。文后参考文献按其重要程度或参考的先后顺序排列;文后参考文献不注页码;文后参考文献的著录项目及次序与注释基本相同。
五、凡有数学公式、曲线图的文稿,务必字迹清楚、规范,图形清晰,数字绝对准确,以免误排。
六、本刊对采用稿件有删改权,不同意删改者,请在来稿时申明。本刊发表的文章,如作者不同意文章转载,请在来稿时声明。
投稿邮箱:kf@400qikan.com,请注明投稿《固体电子学研究与进展》杂志。
特别申明:本刊授予400期刊网优先审稿,本刊将优先录用经过400论文发表网(www.400qikan.com)审核的稿件。

固体电子学研究与进展栏目设置

器件物理、射频器件与电路、微电子学、光电子学、半导体材料、

固体电子学研究与进展收录获奖情况以及影响因子

国家新闻出版总署、400期刊网、CA 化学文摘(美)(2011)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2013)、CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(2013-2014年度)(含扩展版)
核心期刊:、中文核心期刊(2011)
中文核心期刊(2008)
中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)
期刊荣誉:、中科双效期刊信息产业部2001-2002年优秀期刊、中国期刊方阵、双效期刊

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核心期刊:、中文核心期刊(2011)
中文核心期刊(2008)
中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)
期刊荣誉:、中科双效期刊信息产业部2001-2002年优秀期刊、中国期刊方阵、双效期刊

《固体电子学研究与进展》论文范例

忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真
短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析
氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究
1.2~1.4GHz 370W硅双极型晶体管研制
2.14GHz GaN-HEMT脉冲功率放大器设计(英文)
三级Doherty功率放大器的研究
基于CMOS SOI工艺的射频开关设计
基于阶梯阻抗hair-pin谐振器的X波段振荡器的设计
表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计
实现色温自动控制的白光LED照明系统设计
基于红白蓝模式色温可调的LED照明系统
征稿启事
嵌入式非平衡超结LDMOST
简化4T像素结构CMOS图像传感器设计与实现
基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究
SF_6和CHF_3混合气体各向异性刻蚀WN研究
低温共烧陶瓷翘曲度改进工艺研究
Si腐蚀工艺的优化
基于外延层转移的GaAs PIN与Si异构集成技术
快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

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