本文作者：张贺强；成功正常投稿发表论文到《天津科技》2014年11期,引用请注明来源400期刊网！

【摘要】：硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而影响键合质量。
【论文正文预览】：0引言SDB(Silicon-siliconDirectBonding)——硅-硅直接键合是将两片表面经清洗、活化的硅抛光片在室温下直接贴合,经高温处理,使界面发生物理化学反应,增加键合强度而形成整体。[1]这种键合结构与晶片的晶向、晶格常数、结晶状态、掺杂类型、掺杂浓度等无关,因此可任意选择
【文章分类号】：TN305.2
【稿件关键词】：硅片抛光片硅硅键合键合质量
【参考文献】:

• 陈新安,黄庆安,李伟华,刘肃;硅/硅直接键合的界面应力[J];微纳电子技术;2004年10期
• 付兴华,黄庆安,陈军宁,童勤义;硅直接键合工艺对晶片平整度的要求[J];电子科学学刊;1994年03期
• 陈颖慧;施志贵;郑英彬;隆艳;王旭光;;不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响[J];微纳电子技术;2013年09期
• 何福林;滕霖;李川;;低温直接键合硅片亲水性及其键合效果评价[J];航空精密制造技术;2011年03期
• 何进,王新,陈星弼;硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性[J];微电子学;1999年05期
• 杨道虹,董典红,徐晨,张剑铭,阳启明,沈光地;激光在MEMS键合技术中的应用[J];半导体光电;2004年02期
• 孙晓峰,王海燕,卢景霄,李维强;大面积多晶硅绒面的制备[J];半导体光电;2004年03期
• 武智平;潘淼;庞爱锁;李艳华;陈朝;;物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化[J];半导体光电;2011年05期
• 聂磊;史铁林;廖广兰;钟飞;;Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究[J];半导体技术;2005年12期
• 霍文晓;徐晨;杨道虹;赵林林;赵慧;沈光地;;CF_4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用[J];半导体技术;2006年04期
• 刘兵武;张兆华;谭智敏;林惠旺;刘理天;;用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术[J];半导体技术;2006年12期
• 陈德英;浓硼硅腐蚀自停止的研究[J];半导体技术;1998年05期
• 鞠挥,吴一辉,王立鼎;硅光栅的制作与应用[J];微纳电子技术;2002年02期
• 熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信;SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究[J];微纳电子技术;2003年10期
• 闫献勇,郭少朋,张春野,刘鸿,王珺,吴岚军;DY-2003小型点样仪控制系统的设计[J];微纳电子技术;2003年10期
• 刘国文;薛旭;张承亮;万蔡辛;刘雪松;李丹东;;一种“三明治”加速度传感器研究[A];微机电惯性技术的发展现状与趋势——惯性技术发展动态发展方向研讨会文集[C];2011年
• 张治国;陈信琦;李颖;唐慧;;电容式硅加速度传感器的研制[A];中国传感器产业发展论坛暨东北MEMS研发联合体研讨会论文集[C];2004年
• 何胜;赵采凡;王巍;朱红生;;“三明治式”硅微加速度计工程化研究[A];中国惯性技术学会第五届学术年会论文集[C];2003年
• 罗蓉;徐爱东;王玮;吕苗;;一种可以实现快速检测的微振荡型PCR芯片[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C];2005年
• 周再发;黄庆安;李伟华;王涓;孙岳明;;用3D动态元胞自动机模型模拟硅的各向异性腐蚀过程[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C];2005年
• 张海涛;于晓梅;王小保;张大成;;MEMS与SOI CMOS单片集成的模拟研究[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C];2005年
• 赵林林;徐晨;杨道虹;霍文晓;赵慧;沈光地;;金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C];2005年
• 赵慧;徐晨;霍文晓;赵林林;沈光地;邹德恕;;一种适用于薄膜结构的静电键合方法[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C];2005年
• 吕树海;罗蓉;杨拥军;吕苗;;SDB技术在MEMS加速度计中的应用[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C];2005年
• 施志贵;杨芳;;硅集成冲击片雷管的研制[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C];2005年
• 石晶;基于硅微通道板的新型三维传感器[D];华东师范大学;2011年
• 孙丽波;微板多物理场耦合非线性动力学研究[D];燕山大学;2011年
• 慈朋亮;硅微通道板制备及其热电性能研究[D];华东师范大学;2011年
• 闫社平;硅纳米线的机电特性研究[D];浙江大学;2011年
• 姜成山;转基因微细作业系统中超微量注射及双目时分立体成像技术的研究[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2002年
• 徐峥谊;微机械热电堆红外探测器[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2002年
• 刘卫丽;多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2002年
• 席占稳;MEMS传感器及在引信中的应用研究[D];南京理工大学;2003年
• 董涛;微管道换热器内微流体的流动与换热[D];南京理工大学;2003年
• 张正元;射频微机械开关与放大器关键技术研究[D];重庆大学;2004年
• 吴江宏;晶体硅太阳电池表面织构化工艺的研究[D];五邑大学;2010年
• 李国熠;硅基长波红外光波导器件的研究[D];浙江大学;2011年
• 朱华章;基于电磁带隙的RF MEMS可切换滤波器研究[D];北京邮电大学;2011年
• 张安元;湿法刻蚀制备黑硅及性能研究[D];电子科技大学;2011年
• 薛阳;硅微通道电化学腐蚀过程中的输运特性[D];长春理工大学;2011年
• 路昱;二维硅光子晶体制备及带隙研究[D];长春理工大学;2011年
• 姜振华;多孔硅的制备及发光特性的研究[D];长春理工大学;2011年
• 毛胜平;闭锁电热双稳态微开关研究[D];上海交通大学;2011年
• 毛胜平;闭锁电热双稳态微开关研究[D];上海交通大学;2011年
• 黄朝;非制冷红外传感器的读出电路研究[D];华中科技大学;2011年
• 韩伟华,余金中;硅片接触表面的弹性形变范围[J];半导体光电;2001年06期
• 刘兵武;张兆华;谭智敏;林惠旺;刘理天;;用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术[J];半导体技术;2006年12期
• 陈新安,黄庆安,李伟华,刘肃;硅/硅直接键合的界面应力[J];微纳电子技术;2004年10期
• 韩伟华,余金中;硅片发生室温键合所需的平整度条件[J];半导体学报;2001年12期
• 王翔,张大成,李婷,王玮,阮勇,李修函,王小保,杜先锋;压阻加速度计的Au-Si共晶键合[J];半导体学报;2003年03期
• 张小英;陈松岩;赖虹凯;李成;余金中;;利用金属过渡层低温键合硅晶片[J];半导体学报;2007年02期
• 詹娟,刘光廷;硅片键合界面的应力研究[J];传感技术学报;1994年03期
• 林晓辉;廖广兰;史铁林;聂磊;;硅片低温键合湿化学法表面活化工艺研究[J];传感技术学报;2006年05期
• 张东梅;丁桂甫;汪红;姜政;姚锦元;;MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究[J];传感器与微系统;2006年01期
• 王海军，叶挺秀，刘宏岩，钱照明;键合工艺参数对SDB片界面机械特性的影响[J];电力电子技术;1996年01期
• 聂磊;低温圆片键合理论与工艺研究[D];华中科技大学;2007年
• 林晓辉;晶圆低温键合技术及应用研究[D];华中科技大学;2008年
• 赵权;杨洪星;刘春香;吕菲;王云彪;武永超;;超薄硅双面抛光片抛光工艺技术[J];电子工业专用设备;2011年03期
• 戚红英;王云彪;;锗抛光片干燥技术研究[J];电子工艺技术;2012年02期
• 张安康;硅抛光片的监控[J];电子器件;1981年03期
• 刘尊愚;;固着磨料抛光片及抛光模的制作[J];仪器制造;1986年04期
• 王云彪;杨洪星;陈亚楠;张伟才;;硅单晶抛光片边缘亮线研究[J];电子工艺技术;2014年05期
• 赵权;;半导体单晶抛光片清洗工艺分析[J];半导体技术;2007年12期
• 宋晶;杨洪星;张伟才;武永超;;硅抛光片表面质量测试技术综述[J];电子工业专用设备;2010年07期
• 杨洪星;陈亚楠;;夹具形状对硅抛光片表面质量的影响[J];电子工艺技术;2013年02期
• 刘浦锋;;超大规模集成电路用硅片产业化[J];世界科学;2013年06期
• 刘云霞;史训达;李俊峰;林霖;赵晶;刘卓;;硅抛光片表面时间依赖性雾产生的原因分析[J];微纳电子技术;2013年12期
• 李科技;由佰玲;武卫;孙晨光;李翔;;单抛机双面硅抛光片有蜡贴片工艺研究[A];第二十五届中国（天津）2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议论文集[C];2011年
• 史舸;邓德翼;王文卫;舒钧;郭体强;李科技;;硅抛光片几何参数控制的工艺研究[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
• 史舸;邓德翼;王文卫;舒钧;郭体强;李科技;;硅抛光片几何参数控制的工艺研究[A];2004年材料科学与工程新进展[C];2004年
• 王国瑞;吴晓明;张宇;时金侠;李翔;;应用全自动VPD-ICPMS设备测试8英寸硅抛光片表面金属离子含量[A];第二十五届中国（天津）2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议论文集[C];2011年
• 周旗钢;;直径12英寸硅单晶抛光片的研制[A];集成电路配套材料研讨会及参展资料汇编[C];2004年
• 张晋英;王国瑞;刘振福;;硅片表面金属离子ICP-MS的前处理方法及测试[A];天津市电视技术研究会2013年年会论文集[C];2013年
• ;行业信息[A];2004年仪表材料论坛论文集[C];2004年
• 梁红兵;200毫米硅单晶抛光片项目通过验收[N];中国电子报;2003年
• 袁晓阳;我实现8英寸硅单晶抛光片规模生产[N];科技日报;2003年
• 记者　董山峰;直径八英寸硅单晶抛光片示范工程通过验收[N];光明日报;2004年
• 记者 梁红兵;国家产业化硅片示范工程建成[N];中国电子报;2001年
• 冯绍健;我国首条8英寸硅单晶抛光片生产线验收[N];中国有色金属报;2003年
• ;上海合晶 薄型及超重掺硅单晶抛光片将是今年重点[N];中国电子报;2008年
• 本报记者　 赵志伟;“两步走”做大“洛阳硅”[N];洛阳日报;2006年
• 石英 常青;第一条集成电路用硅片生产线建成投产[N];北京日报;2001年
• 记者 梁红兵;我半导体材料研究及产业化获新突破[N];中国电子报;2001年
• 李少林;有研硅股 技术创新提升盈利能力[N];中国证券报;2007年
• 赵权;锗抛光片抛光清洗技术研究[D];天津大学;2009年
• 陈勇臻;SiC单晶抛光片的制备与表征[D];西安理工大学;2008年
• 纪秀峰;LED用砷化镓抛光片表面状态研究[D];天津大学;2009年

【稿件标题】：衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究
【作者单位】：中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【发表期刊期数】：《天津科技》2014年11期
【期刊简介】：《天津科技》杂志是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊，天津科技杂志具有正规的双刊号，其中国内统一刊号：CN12-1203/N，国际刊号：ISSN1006-8945。天津科技杂志社由天津市科学技术委员会主管、主办，本刊为刊。自创刊以来，被公认誉......更多天津科技杂志社投稿信息
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