2)分析TD有效性
从TD的SPEC中可以得到，TD的低温检测范-围是45-38％，高温检测范围是83-91℃。
图5 0.13um工艺TD风险分析
TDL风险：如图5所示，TDL的范围已经超出Tpl(一40％)的范围，在温度范围-45～-40℃时芯片的所有电路都有可能出现误操作，但是TDL有可能还没有进行复位因此无法达到保护的目的。
TDH风险：如图5所示，TDH的范围已经超出Tp2(85％)的范围，在温度范围85~91℃时芯片的一些电路(除STD和RAM)都有可能出现误操作，但是TDH有可能还没有进行复位因此无法达到保护的目的。
3.2.2某工艺厂商0.18um工艺
VR设计SPEC如下：
输入2.25~5.5V
输出1.6~2V
TD设计SPEC如表4：VD设计SPEC如表5：
工艺对电压、温度的约束如表6：
1)分析VD有效性
从VR的SPEC中可以看到，当VR的输入电压2.25-5.5V时输出为1.6~2V；并且VD的低压检测范围为2.4-2.6V，高压检测范围5.55~6.05V。
VDL风险：如图6所示，Vcc在2.4V到2.6V的范围时，VR的输出是否大于1.62V是个值得关注的问题。
VDH风险：如图6所示，VDH的范围已超出Vp2(1.98V)，外部电压在5.5~6.05V时存在风险，在这个区间时VR的输出还能保证是在1.6-2V范围吗?如果不能那么怎么保证所有时序模型的准确性?在这个区间所有的电路都有可能出现错误动作，并且VDH有可能还没有复位。
2)分析TD有效性
从TD的SPEC中可以得到，TD的低温检测范围是小于-30℃，高温检测范围是大于85℃。
TDL风险：如图7所示，TDL的范围已经超出Tpl(0~C)的范围，在温度范围-30~0~C时芯片的ROM、RAMlK有可能出现误操作，但是TDL还没有进行复位因此无法达到保护的目的。
TDH风险：如图7所示，TDH的范围已经超出Tp2(85℃)的范围，在温度85℃以上时芯片的EEPROM有可能出现误操作，但是TDH有可能还没有进行复位因此无法达到保护的目的。
3.2.3解决方案
上面的两个案例属于同一类型问题，都是因为探测模块的范围和具体的工艺条件没有互相配合导致的。根本上解决此问题需要满足以下条件(即3.1.1章节的条件1)：
Vmin(1-a％)≥Vpl&Vmax(1+a％)≤Vp2
Tmin(1-a％)≥Trpl＆Tmax(1+a％)≤Tp2
上述条件的满足需要工艺库提供者和IP提供者协同配合来解决，即工艺的工作范围扩大到探测传感器的工作范围，或者探测传感器的工作范围缩小到工艺支持的范围。
如果上述条件无法达到时，在芯片的系统设计中留有足够的余量来降低风险，但是不能根除风险。
4.结束语
对于智能卡，安全的重要性是不言而喻的，探测传感器对芯片的安全起着举足轻重的作用，因此在系统设计中灵活有效的应用探测传感器至关重要。安全是一个系统性的课题，整个系统的安全等级取决于在系统中最薄弱的环节，所有的安全环节都做到足够强才是真的安全。
